Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Makhanets O$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
1. |
Tkach M. Stationary and quasi-stationary electron spectrum in quantum wire and quantum anti-dot with impurity [Електронний ресурс] / M. Tkach, V. Holovatsky, O. Makhanets, M. Dovganiuk // Журнал фізичних досліджень. - 2009. - Т. 13, Число 4. - С. 4706-1-4706-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2009_13_4_20
| 2. |
Makhanets O. M. Intensities of quantum transitions in hexagonal nanotubes within the exciton spectral range [Електронний ресурс] / O. M. Makhanets, N. R. Tsiupak, O. M. Voitsekhivska // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 156-161. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_10 The theory of exciton spectrum and intensities of interband quantum transitions in multi-shell hexagonal semiconductor nanotube is developed within the effective masses and rectangular potentials approximations using Bethe variational method. The obtained theoretical results well explain the experimental position of luminescence peak for GaAs/AlxGa1-xAs nanotubes.
| 3. |
Makhanets O. M. Spectral parameters of electron in multi-shell open semiconductor nanotube [Електронний ресурс] / O. M. Makhanets, A. I. Kuchak, V. I. Gutsul, O. M. Voitsekhivska // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 57-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_12 The spectral parameters (resonance energies and resonance widths) of electron in multi-shell open cylindrical semiconductor nanotube are theoretically investigated within the effective mass and rectangular potentials model by using the S-matrix approach. These parameters as functions of the nanotube thickness and axial quasimomentum are analyzed for the nanostructure composed of GaAs and AlxGa1-xAs semiconductors.
| 4. |
Makhanets O. M. Exciton spectra in multi-shell open semiconductor nanotube [Електронний ресурс] / O. M. Makhanets, А. І. Kuchak, O. M. Voitsekhivska, V. I. Gutsul // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 4. - С. 70-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_4_10 В модели эффективных масс и прямоугольных потенциалов, с использованием функции распределения по энергии вероятности нахождения квазичастицы в наносистеме теоретически исследованы спектральные параметры (резонансные энергии и резонансные ширины) электрона, дырки и экситона в многослойной открытой цилиндрической полупроводниковой нанотрубке. На примере наносистемы, созданной из полупроводников GaAs и AlxGa1-xAs, проанализированы зависимости резонансных энергий и резонансных ширин квазичастиц от толщины нанотрубки.
| 5. |
Makhanets O. M. Phonon spectra and electron-phonon interaction in a combined cylindrical semiconductor nanotube [Електронний ресурс] / O. M. Makhanets, N. R. Tsiupak, V. I. Gutsul // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 10. - С. 1060-1068. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_10_11
| 6. |
Makhanets O. M. Spectral parameters of electron in a multishell semiconductor cylindrical nanotube with a donor impurity at its axis [Електронний ресурс] / O. M. Makhanets, A. I. Kuchak, V. I. Gutsul // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 8. - С. 819-825. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_8_13 The spectral parameters (resonance energies and resonance widths) of electron in multi-shell open cylindrical semiconductor nanotube are theoretically investigated within the effective mass and rectangular potentials model by using the S-matrix approach. These parameters as functions of the nanotube thickness and axial quasimomentum are analyzed for the nanostructure composed of GaAs and AlxGa1-xAs semiconductors.
| 7. |
Makhanets O. M. Spectral Parameters of an Exciton in Double Semiconductor Quantum Rings in an Electric Field [Електронний ресурс] / O. M. Makhanets, V. I. Gutsul, I. P. Koziarskyi, A. I. Kuchak // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 2. - С. 02024-1-02024-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_2_26 Досліджено вплив однорідного електричного поля на енергетичний спектр екситона та інтенсивності міжзонних квантових переходів у подвійних напівпровідникових (GaAs/AlxGa1-xAs) циліндричних квантових кільцях. Вважаючи, що сталі гратки і діелектричні проникності елементів наносистеми слабко відрізняються між собою, для розрахунку спектрів електрона і дірки використовується модель ефективних мас і прямокутних потенціалів. Відповідні стаціонарні рівняння Шредінгера для невзаємодіючих між собою електрона і дірки за відсутності електричного поля розв'язуються аналітично точно. Радіальні хвильові функції одержуються у вигляді лінійної комбінації функцій Бесселя, Неймана та модифікованих функцій Бесселя. Стаціонарні рівняння Шредінгера для квазічастинок за наявності електричного поля аналітично не розв'язуються. Для їх наближеного розв'язку невідомі хвильові функції шукаються у вигляді розкладу за повним набором циліндрично-симетричних хвильових функцій, а енергія електрона чи дірки знаходиться із розв'язування відповідного секулярного рівняння. Оскільки енергія взаємодії між електроном і діркою набагато менша, ніж сума розмірно-квантованих енергій відповідних квазічастинок, то енергія зв'язку екситона знаходиться з використанням теорії збурень. Проаналізовано залежності енергій електрона, дірки й екситона від величини напруженості електричного поля. Показано, що електричне поле суттєво впливає на локалізацію квазічастинок у системі подвійних нанокілець. При цьому як енергії електрона, дірки й екситона, так й інтенсивності міжзонних квантових переходів немонотонно залежать від величини напруженості електричного поля.
|
|
|